IRF3710ZPBF vs IRF540ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF3710ZPBF بذریعہ Infineon اور IRF540ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF3710ZPBF IRF540ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 59 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 160 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 18 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC (typical) —
Maximum Junction Operating Temperature 175 C —
Gate Drive Voltage (Optimized) 10 V —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3 pins) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Pin Configuration G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) —
Qualification Standard JEDEC, Normal Level —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں