K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 生産中
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K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $13.78 $24.90
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
電源電圧 1.2 V (nominal) 1.2 V
データレート 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
インターフェースタイプ SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

データシート&リソース

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