K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G085WC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Aktiv
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K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $13,78 $24,90
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8
Versorgungsspannung 1.2 V (nominal) 1.2 V
Datenrate 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Schnittstellentyp SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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