K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G085WC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $13,78 $24,90
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Напряжение питания 1.2 V (nominal) 1.2 V
Скорость передачи данных 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Тип интерфейса SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену