K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G085WC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $13,78 | $24,90 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (nominal) | 1.2 V |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Speed Grade | BC | — |
| CAS Latency (CL) | 22 | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Architecture | 16 banks (4 bank groups) | — |
| Refresh Interval | 7.8 us (up to 85C) | — |
| Tipo de interface | SSTL-12 | — |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Self-Refresh | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Package Dimensions | 11 mm x 11 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |