K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WC 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BCPB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 활성
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K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WC
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $13.78 $24.90
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
메모리 구성 1G x 8 1G x 8
공급 전압 1.2 V (nominal) 1.2 V
데이터 속도 3200 Mbps (PC4-25600) —
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 —
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
인터페이스 유형 SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) —
패키지 78-ball FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
Operating Mode DLL enabled —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

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