K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK 比較
詳細な並列比較: K4RAH086VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RBH086VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $44.55 | $0.00 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| メモリサイズ | 16 Gb | — |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| データレート | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| 電源電圧 | 1.1 V | — |
| インターフェース | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| パッケージ | FBGA-82 | FBGA-82 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| 動作温度 | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| ライフサイクル状態 | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |