K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics 및 K4RBH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $44.55 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| 공급 전압 | 1.1 V | — |
| 인터페이스 | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| 패키지 | FBGA-82 | FBGA-82 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| 동작 온도 | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |