K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH086VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $44,55 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Interface | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| Boîtier | FBGA-82 | FBGA-82 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Température de fonctionnement | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |