K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BCWM por Samsung Electronics e K4RBH086VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $44,55 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamanho da memória | 16 Gb | — |
| Organização da memória | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Taxa de dados | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | — |
| Interface | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| Encapsulamento | FBGA-82 | FBGA-82 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Temperatura de operação | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Status do ciclo de vida | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |