K4RAH086VB-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics и K4RBH086VB-BCQK от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VB-BCWM | K4RBH086VB-BCQK |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $44,55 | $0,00 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| Напряжение питания | 1.1 V | — |
| Интерфейс | DDR5 (parallel) | DDR5 (CA bus, ODECC) |
| Корпус | FBGA-82 | FBGA-82 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Рабочая температура | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Статус жизненного цикла | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] |
| Power Supply Rails | — | VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] |