M29W640GB70N3F vs M29W640GB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W640GB70N3F メーカー: Micron Technology および M29W640GB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W640GB70N3F M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W640GB70N3E M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W640GB70N3F M29W640GB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.66 $7.05
メモリタイプ NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 64 Mb (8 MB) 64 Mbit (8 MByte)
メモリ構成 x8 / x16 4M x16 / 8M x8
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Qualification Automotive AEC-Q100 —
パッケージ 48-TSOP I 48-TSOP I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Interface Parallel command set with status polling —
Block Architecture Uniform block (GB variant) —
Part Status Obsolete —
RoHS ステータス Compliant (per JLCPCB listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Read Current [DATA_NEEDED: active read current] —
インターフェース — Parallel, asynchronous
Boot Block — Bottom boot block (GB)
Programming — Word/Byte program, block erase
Command Set — M29W family standard command set
Chipset Validation — N/A
FBGA Code — N/A
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]

データシート&リソース

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