M29W640GB70N3F vs M29W640GB70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W640GB70N3F от Micron Technology и M29W640GB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W640GB70N3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W640GB70N3F | M29W640GB70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Obsolete | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,66 | $7,05 |
| Тип памяти | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 64 Mb (8 MB) | 64 Mbit (8 MByte) |
| Организация памяти | x8 / x16 | 4M x16 / 8M x8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Напряжение питания | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Qualification | Automotive AEC-Q100 | — |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Interface | Parallel command set with status polling | — |
| Block Architecture | Uniform block (GB variant) | — |
| Part Status | Obsolete | — |
| Статус RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Интерфейс | — | Parallel, asynchronous |
| Boot Block | — | Bottom boot block (GB) |
| Programming | — | Word/Byte program, block erase |
| Command Set | — | M29W family standard command set |
| Chipset Validation | — | N/A |
| FBGA Code | — | N/A |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |