M29W640GB70N3F vs M29W640GB70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W640GB70N3F por Micron Technology e M29W640GB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W640GB70N3F | M29W640GB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Obsolete | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,66 | $7,05 |
| Tipo de memória | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 64 Mb (8 MB) | 64 Mbit (8 MByte) |
| Organização da memória | x8 / x16 | 4M x16 / 8M x8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensão de alimentação | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Qualification | Automotive AEC-Q100 | — |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Interface | Parallel command set with status polling | — |
| Block Architecture | Uniform block (GB variant) | — |
| Part Status | Obsolete | — |
| Status RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Interface | — | Parallel, asynchronous |
| Boot Block | — | Bottom boot block (GB) |
| Programming | — | Word/Byte program, block erase |
| Command Set | — | M29W family standard command set |
| Chipset Validation | — | N/A |
| FBGA Code | — | N/A |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |