MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
部品番号: MT41K256M16TW-107:P ✓ 生産中| 数量 | 単価 | 小計 |
|---|---|---|
| 1 | $19.42 | $19.42 |
| 10 | $18.5 | $185.00 |
| 100 | $17.6 | $1,760.00 |
| 500 | $16.8 | $8,400.00 |
| 1,000 | $16 | $16,000.00 |
MT41K256M16TW-107:P 概要
DDR3L SDRAM（Double Data Rate 3 Low Voltage）は、標準DDR3（1.5V）と比較して低電圧（1.35V）で動作する同期型ダイナミックランダムアクセスメモリの一種で、同様の性能を維持しながら消費電力を最大20%削減します。クロックの両エッジでデータを転送するダブルデータレートシグナリングを使用するDDR3ファミリの一部であり、サーバー、ラップトップ、組み込みシステムで広く使用されています。DDR3LはDDR3スロットと後方互換性があるため、アップグレードや新設計に柔軟な選択肢となります。
主な特長は、4Gbit密度、16ビットデータバス、933 MHzクロックスピード、JEDEC標準DDR3L-1866タイミングのサポートです。このデバイスはオートセルフリフレッシュ、オートプリチャージ、ライトレベリング、ダイナミックオンチップ終端（ODT）、ZQキャリブレーションを備え、信号整合性と信頼性の高い動作を確保します。0°C～+95°Cの温度範囲で動作するため、商業環境および産業環境に適しています。
技術的には、MT41K256M16TW-107:Pは高性能CMOSプロセスを使用し、プログラム可能なCASレイテンシ11、12、13、14、バースト長8、バーストチョップ4を備えています。信号整合性向上のためのオンダイ終端（ODT）をサポートし、正確なクロックアライメント用のDLLを内蔵しています。このデバイスはRoHS準拠および鉛フリーで、環境基準を満たしています。
一般的なアプリケーションには、低消費電力と高帯域幅が重要な高性能コンピューティング、ネットワーキング機器、産業オートメーション、組み込みシステムが含まれます。1.35V動作により熱負荷が低減されるため、コンパクトで電力に敏感な設計に最適です。
このデバイスで設計する際は、電源ピンの近くに適切なデカップリングコンデンサを配置し、データシートのレイアウトガイドラインに従って信号整合性の問題を最小限に抑えてください。このデバイスには安定した1.35V電源と、アドレス/制御ラインの慎重な終端が必要です。
ドロップイン代替品: MT41K256M16TW-107:P — 同一パッケージでピン互換。PCBの作り直しが必要な異なるパッケージの部品は除外されています。
このシリーズのバリエーション
同一シリーズでドロップイン互換のモデル: MT41K256M16TW-107:P （同一形状・フットプリント） — 相違点: Package, Supply Voltage, Memory Type, Memory Size, Data Rate.
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MT41K256M16TW-107IT:P
✅ ドロップイン📋 参考代替品（カタログ未掲載）
MT41K256M16TW-107AIT:P
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MT41K256M16HA-125XIT:E
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K4B4G1646D-BYMA
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AS4C256M16D3LC-10BCN
✅ ドロップイン📋 参考代替品（カタログ未掲載）
MT41K256M16TW-107:P 最大定格＆電気的特性
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| データレート | 1866 MT/s |
| 電源電圧 | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V |
| CASレイテンシ | 13 |
| tRCD | 20 ns |
| tRP | 20 ns |
| Burst Length | 8 |
| パッケージ | 96-FBGA (8x14mm) |
| 動作温度 | 0°C to +95°C |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant |
| Lead-Free | Yes |
MT41K256M16TW-107:P ピン構成
| ピン A1 | VDD — Power supply (1.35V) |
| ピン A2 | DQ0 — Data input/output 0 |
| ピン A3 | DQ1 — Data input/output 1 |
| ピン A4 | VSS — Ground |
| ピン B1 | DQ2 — Data input/output 2 |
| ピン B2 | DQ3 — Data input/output 3 |
| ピン B3 | VDDQ — I/O power supply (1.35V) |
| ピン B4 | DQ4 — Data input/output 4 |
| ピン C1 | DQ5 — Data input/output 5 |
| ピン C2 | DQ6 — Data input/output 6 |
| ピン C3 | DQ7 — Data input/output 7 |
| ピン C4 | VSS — Ground |
主な用途
MT41K256M16TW-107:P の用途: 6 件s: High-Performance Computing, Networking Equipment, Industrial Automation, Embedded Systems, Consumer Electronics, Automotive Infotainment.
High-Performance Computing
The MT41K256M16TW-107:P provides 4Gbit of DDR3L memory at 1866 MT/s, making it ideal for servers and workstations where high bandwidth and low power are critical. Its 1.35V operation reduces thermal load, enabling denser memory configurations. The 96-FBGA package allows compact PCB layouts, and the 16-bit data bus simplifies routing in multi-rank designs. With a CAS latency of 13, it balances speed and latency for compute-intensive workloads.
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Networking Equipment
In routers and switches, the MT41K256M16TW-107:P offers high-speed packet buffering with 1866 MT/s data rate and low latency. Its auto self-refresh and write leveling features ensure reliable operation in high-traffic environments. The 1.35V supply reduces power consumption in always-on network devices. The 96-FBGA package is suitable for space-constrained line cards, and the 16-bit interface simplifies connection to network processors.
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Industrial Automation
The MT41K256M16TW-107:P operates from 0°C to +95°C, making it suitable for industrial control systems. Its robust design includes dynamic ODT and ZQ calibration for signal integrity in noisy environments. The 4Gbit density supports large data logging and real-time processing. The 1.35V operation reduces heat generation in sealed enclosures, and the 96-FBGA package withstands vibration in factory settings.
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Embedded Systems
For embedded applications, the MT41K256M16TW-107:P provides a balance of performance and power efficiency. Its 1.35V supply is ideal for battery-powered devices, and the 4Gbit capacity supports complex applications like image processing. The 96-FBGA package is compact, and the 16-bit bus reduces pin count, simplifying PCB design. Auto self-refresh extends battery life in standby modes.
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Consumer Electronics
In consumer devices like smart TVs and set-top boxes, the MT41K256M16TW-107:P delivers high bandwidth for smooth video playback and multitasking. Its low voltage reduces heat, enabling slim designs. The 96-FBGA package is suitable for compact PCBs, and the 1866 MT/s data rate supports 4K video streams. Write leveling ensures reliable operation in high-speed interfaces.
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Automotive Infotainment
The MT41K256M16TW-107:P is used in automotive infotainment systems where reliability and temperature range are critical. While not AEC-Q100 qualified, the industrial temperature variant (MT41K256M16TW-107IT:P) is available for -40°C to +95°C operation. The 4Gbit density supports navigation and multimedia, and the 1.35V supply reduces power in vehicle electrical systems. The 96-FBGA package withstands vibration.
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エンジニアリング参考データ: MT41K256M16TW-107:P — 比較、設計ガイダンス、コンプライアンス情報。
選定ガイド
代替品との比較
| パラメータ | この製品 | MT41K256M16TW-107IT:P | MT41K256M16TW-107AIT:P | K4B4G1646D-BYMA |
|---|---|---|---|---|
| Package | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Brand | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Memory Size | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| Data Rate | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Supply Voltage | 1.35V | 1.35V | 1.35V | 1.35V |
| Operating Temperature | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS Latency | 13 | 13 | 13 | 13 |
| AEC-Q100 | No | No | Yes | No |
主な差別化要因
- MT41K256M16HA-125XIT:E（1600 MT/s）と比較して高いデータレート（1866 MT/s） （vs MT41K256M16HA-125XIT:E)
- 標準DDR3（1.5V）と比較して低電圧（1.35V） （vs 標準DDR3製品)
- 産業温度グレードが利用可能（MT41K256M16TW-107IT:P） （vs K4B4G1646D-BYMA)
設計ノート
MT41K256M16TW-107:Pには安定した1.35V電源が必要です。各VDDおよびVDDQピンの近くに低ESRセラミックコンデンサ（0.1uFおよび1uF）を配置して、電圧リップルを最小限に抑えてください。電源プレーンが対象周波数範囲で低インピーダンスであることを確認してください。
DDR3L配線についてはMicronデータシートのレイアウトガイドラインに従ってください。信号整合性を維持するため、DQ、DQS、アドレス/制御信号のトレース長を一致させてください。制御インピーダンストレース（通常40～60オーム）を使用し、アドレス/制御ラインに適切な終端を設けてください。
このデバイスは+95°Cまで動作しますが、高電力システムでは十分な空気流または放熱を確保してください。1.35V電源は消費電力を低減しますが、高密度メモリアレイではFBGAパッケージ下のサーマルビアが放熱に役立ちます。
コンプライアンス情報
RoHS compliant per JLCPCB listing. Lead-free per Micron. Not AEC-Q100 qualified for standard part; automotive grade available as MT41K256M16TW-107AIT:P.
