PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VB-BCWM 比較
詳細な並列比較: PDRQL8KCBF12-00 メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $18.00 | $44.55 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| データレート | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.1 V | 1.1 V |
| パッケージ | FBGA | FBGA-82 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| インターフェース | Pseudo-differential DQ | DDR5 (parallel) |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| ライフサイクル状態 | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |