PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von PDRQL8KCBF12-00 von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $18,00 | $44,55 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Gehäuse | FBGA | FBGA-82 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Schnittstelle | Pseudo-differential DQ | DDR5 (parallel) |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |