PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VB-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: PDRQL8KCBF12-00 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $18.00 | $44.55 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| 공급 전압 | 1.1 V | 1.1 V |
| 패키지 | FBGA | FBGA-82 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| 인터페이스 | Pseudo-differential DQ | DDR5 (parallel) |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| 수명 주기 상태 | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |