PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VB-BCWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок PDRQL8KCBF12-00 от Samsung Electronics и K4RAH086VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $18,00 | $44,55 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.1 V | 1.1 V |
| Корпус | FBGA | FBGA-82 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Интерфейс | Pseudo-differential DQ | DDR5 (parallel) |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Размер памяти | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Статус жизненного цикла | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |