PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics et K4RAH086VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $18,00 | $44,55 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | FBGA | FBGA-82 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Interface | Pseudo-differential DQ | DDR5 (parallel) |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |