1EDB7275FXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDB7275FXUMA1 제조: Infineon 및 1ED3124MU12HXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDB7275FXUMA1 1ED3124MU12HXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.68 $0.89
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported High-side / low-side, half-bridge (with two parts) —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) magnetic coupling Coreless transformer (CT)
Isolation Voltage (Viso) 3000 Vrms —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns (minimum) 200 kV/us minimum
Peak Source Output Current 5.4 A (typical) —
Peak Sink Output Current 9.8 A (typical) —
Propagation Delay +6 / -4 ns (typical, see datasheet family) —
Supported Switch Technologies Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT —
패키지 PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -40C to +125C
UVLO Protection Yes (secondary side) —
Marking Code 1B7275A —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
출력 구성 — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Creepage Distance — >8 mm
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules
MSL 레벨 — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)

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