BSC076N04NDATMA1 vs BSZ100N03MSGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC076N04NDATMA1 제조: Infineon 및 BSZ100N03MSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC076N04NDATMA1 BSZ100N03MSGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) Single with built-in body diode
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) Trench MOSFET (OptiMOS)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 / 케이스 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC — 30 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet]
패키지 — PG-TSDSON-8 (5x6 mm)
Terminal Finish — Tin (Pb-free)
동작 온도 범위 — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC - target application qualified
Avalanche Tested — 100% (per JEDEC)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free plating)
할로겐 프리 — Yes (per IEC 61249-2-21)
RDS(on) at VGS=10V (typical) — [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1]
Gate Charge Qg (typical) — [DATA_NEEDED: see datasheet]
MSL 레벨 — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

데이터시트 & 자료

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