EP3SE80F1152C3N vs EP3SE260F1152C3N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE80F1152C3N 제조: Intel 및 EP3SE260F1152C3N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Intel
EP3SE260F1152C3N - Stratix III E FPGA, 255K LE, 744 I/O, 1152-FBGA | Intel
EP3SE260F1152C3N ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | EP3SE80F1152C3N | EP3SE260F1152C3N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1,690.00 | $7,500.00 |
| Series | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements (LEs) | 80,000 | — |
| Total Memory Bits | 6,843,392 bits | — |
| Number of LABs/CLBs | 3200 | — |
| Number of User I/O | 744 | — |
| 출력 수 | 744 | — |
| 패키지 / 케이스 | 1152-BBGA, FCBGA (FineLine BGA) | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C (commercial, C3 grade) | 0 C to +85 C (Commercial) |
| Speed/Power Grade | C3 | — |
| Process Technology | 40 nm CMOS | 65 nm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration Memory | SRAM-based, volatile (needs external config device) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Logic Elements / Cells | — | 255,000 |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,768 bits |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| User I/O Count | — | 744 |
| 패키지 | — | 1152-BBGA, FCBGA |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Transceivers | — | Integrated high-speed transceivers |
| DSP Blocks | — | Yes (dedicated multiplier/accumulator) |
| Embedded Memory Type | — | TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM) |
| External Memory Support | — | DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II |
| Configuration Modes | — | AS, AP, PS, FPP, JTAG |
| Partial Reconfiguration | — | Supported |
| Programmable Power Technology | — | Yes (up to 50% dynamic power reduction) |