K4S641632H-UC75 vs K4S641632K-UC75 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4S641632H-UC75 제조: Samsung Electronics 및 K4S641632K-UC75 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4S641632H-UC75 - 64Mb H-die SDRAM 1M x 16 x 4 Banks | Samsung
K4S641632H-UC75 ObsoleteSamsung Electro-Mechanics
K4S641632K-UC75 - 64Mb SDRAM 4Mx16 3.3V 54-TSOP II | Samsung
K4S641632K-UC75 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4S641632H-UC75 | K4S641632K-UC75 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.85 | $0.92 |
| Density | 64 Mb (67,108,864 bits) | 64 Mbit (67,108,864 bits) |
| 메모리 구성 | 1M x 16 bits x 4 Banks | 4 banks x 1,048,576 words x 16 bits (4Mx16) |
| 메모리 유형 | SDRAM (Synchronous DRAM) | Synchronous DRAM (SDR SDRAM) |
| Clock Frequency | 133 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 3.3 V | 3.3 V +/- 0.3 V |
| 인터페이스 | LVCMOS | 16-bit data bus, LVTTL-compatible |
| Max Operating Current | 135 mA | — |
| 동작 온도 | 0C to +70C (Commercial) | 0 C to +70 C (Commercial) |
| Package Type | 54-pin TSOP-II | — |
| Lead Finish | Pb-Free (RoHS compliant) | — |
| Bank Architecture | 4 Banks | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, Full Page | 1, 2, 4, 8 or full page |
| Burst Type | Sequential or Interleave | — |
| Address Multiplexing | Yes (RAS#, CAS# controlled) | Row: 12 bits, Column: 8 bits |
| Refresh | Auto-Refresh and Self-Refresh | — |
| Process Technology | Samsung high-performance CMOS | Samsung high-performance CMOS |
| Data Width | 16 bits | — |
| Speed Grade | — | UC75 (133 MHz, CAS Latency 3, tCK = 7.5 ns) |
| 최대 클록 주파수 | — | 133 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | 2 or 3 (programmable) |
| Refresh Cycles | — | 4096 (64 ms refresh interval) |
| Number of Banks | — | 4 |
| 패키지 | — | 54-pin TSOP-II |
| Package Outline | — | 10.16 mm x 22.22 mm, 0.8 mm pitch |
| 실장 유형 | — | Surface Mount (Tape & Reel) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |