K9ADGD8S0A vs K9PRGY8S7M 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9ADGD8S0A 제조: Samsung Electronics 및 K9PRGY8S7M 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9ADGD8S0A | K9PRGY8S7M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| Device Type | 3D V-NAND flash memory bare die | — |
| Process Technology | Terabit Cell Array Transistor (TCAT) | — |
| Architecture | 3D vertical NAND (V-NAND) | — |
| Form Factor | Bare die (unpackaged) | — |
| Found In | Samsung K9HQGY8S5M-CCK0 and K9LPGY8S1M-CCK0 packages | — |
| Known Application | Samsung 850 Pro 128 GB SSD | — |
| Memory Class | Non-volatile NAND flash | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Documented By | TechInsights report SAR-1407-802 | — |
| Capacity | [DATA_NEEDED: die capacity] | — |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| 인터페이스 | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: P/E cycles] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| 패키지 | [DATA_NEEDED: package] | — |
| 메모리 유형 | — | NAND Flash |
| Density | — | [DATA_NEEDED: density] |
| 메모리 구성 | — | [DATA_NEEDED: organization] |
| 인터페이스 유형 | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: access time] |
| Package Type | — | BGA (surface mount) |
| Package Pin/Ball Count | — | [DATA_NEEDED: ball count] |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |