BSC030N03MSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC030N03MSGATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC035N04LSGATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC030N03MSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.7 V (typ)
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
Suhu Hubungan Operasi -55°C to +150°C -55°C to +150°C
Kemasan PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga