BSC030N03MSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC030N03MSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC035N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC030N03MSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.7 V (typ)
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +150°C -55°C to +150°C
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں