BSC030N03MSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC030N03MSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC035N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC030N03MSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.7 V (typ)
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C -55°C to +150°C
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin