BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSS308PEH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon dan BSS314PEH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Jenis Transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Gambaran Suhu Operasi -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Kemasan / Case PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Bilangan Pin 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
Kemasan — PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)
Aras MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga