BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS308PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS314PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Paket / Kas PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
Paket — PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin