BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS314PEH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS314PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 - -30V P-Ch 1.5A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS314PEH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
پیکیج / کیس PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (Automotive)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C — -1.5 A
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 500 mW
RDS(on) max @ VGS=-10V — 140 mOhm
RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) — -4.5 V, -10 V
پیکیج — PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Pin Configuration — G-D-S (Gate, Drain, Source)
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں