BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSS314PEH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon dan BSS308PEH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSS314PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C -1.5 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 500 mW —
RDS(on) max @ VGS=-10V 140 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (max Rds(on)) -4.5 V, -10 V —
Kemasan PG-SOT23-3 (SOT-23-3) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 Automotive
Pin Configuration G-D-S (Gate, Drain, Source) —
Aras MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Jenis Transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Kemasan / Case — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Bilangan Pin — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga