BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS314PEH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS314PEH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | -1.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | 500 mW | — |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | 140 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Voltage (max Rds(on)) | -4.5 V, -10 V | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 Automotive |
| Pin Configuration | G-D-S (Gate, Drain, Source) | — |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| نوع ترانزیستور | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| تعداد پین‌ها | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |