BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSZ065N06LS5ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSZ036NE2LSATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C -55C to +150C
Kemasan PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
Aras MSL — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga