BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N06LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ036NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +150C
Paket PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
MSL Seviyesi — 1 (Unlimited)
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin