IPD60R180P7ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD60R180P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD50N06S409ATMA2 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD60R180P7ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
Suhu Hubungan Operasi -55C to +150C -55 °C to +175 °C
Kemasan PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Aras MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Kiraan Pin — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga