IPD60R180P7ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R180P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R180P7ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin