K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-125 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BFMA disebabkan oleh Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6.36
Jenis Ingatan DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organisasi 256M x 16 —
Kadar Data 1866 Mbps —
Tegangan Pemberi Arus 1.5V 1.35 V
Kemasan 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
Latensi CAS Programmable 11
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Boson Bebas Yes —
Saiz Ingatan — 4Gbit (256M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Bilangan Pin — 96
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Suhu Operasi — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga