K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $6,36
Bellek Türü DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organizasyon 256M x 16 —
Veri Hızı 1866 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.5V 1.35 V
Paket 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS Gecikme Programmable 11
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Pin Sayısı — 96
Montaj Türü — Surface Mount
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Durumu — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin