K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-125 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BFMA توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-125
برند Samsung Electronics Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $6.36
نوع حافظه DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
سازمان 256M x 16 —
نرخ داده 1866 Mbps —
ولتاژ تغذیه 1.5V 1.35 V
بسته‌بندی 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
تأخیر CAS Programmable 11
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes —
اندازه حافظه — 4Gbit (256M x 16)
عرض گذرگاه داده — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
تعداد پین‌ها — 96
نوع نصب — Surface Mount
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
وضعیت RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت