K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-125 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BFMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at MT41K256M16HA-125 sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BFMA ✓ NakahandaMicron Technology
MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $6.36 |
| Uri ng Memory | DDR3 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | — |
| Rate ng Data | 1866 Mbps | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.5V | 1.35 V |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Latensya ng CAS | Programmable | 11 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Width ng Data Bus | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Bilang ng Pins | — | 96 |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |