IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPW60R080P7XKSA1 por Infineon e IPW60R041C6FKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPW60R080P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo NRND
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,65 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C
Encapsulamento PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
Technology — CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
Nível MSL — Not Applicable (Through-hole)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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