IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPW60R080P7XKSA1 von Infineon und IPW60R041C6FKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPW60R080P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C
Gehäuse PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Montageart Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology — CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
MSL-Level — Not Applicable (Through-hole)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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