IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 比較

詳細な並列比較: IPW60R080P7XKSA1 メーカー: Infineon および IPW60R041C6FKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPW60R080P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 NRND
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.65 $5.40
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C
パッケージ PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Technology — CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
MSLレベル — Not Applicable (Through-hole)
Lead-Free — Yes

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