IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPW60R080P7XKSA1 제조: Infineon 및 IPW60R041C6FKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPW60R080P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 NRND
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.65 $5.40
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C
패키지 PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
실장 유형 Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Technology — CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
MSL 레벨 — Not Applicable (Through-hole)
Lead-Free — Yes

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