IRF4905LPBF vs IRLS3036TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF4905LPBF por Infineon e IRLS3036TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF4905LPBF IRLS3036TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,98 $1,39
Polarity P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 1100 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
Encapsulamento TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin D2PAK (TO-263), surface mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação