IRF4905LPBF vs IRLS3036TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF4905LPBF توسط Infineon و IRLS3036TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF4905LPBF IRLS3036TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 1100 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V]
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
بسته‌بندی TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin D2PAK (TO-263), surface mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 270 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — 195 A
Rds(on) max @ Vgs=10V — 1.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) typ — 91 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 380 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
سطح MSL — 1
وضعیت RoHS — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Integrated Body Diode — Yes (avalanche rated)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت