IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFS3006TRLPBF por Infineon e IRFS3107TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFS3006TRLPBF IRFS3107TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,40 $1,75
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC 160 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263AB), 3-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (Gull Wing)
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
Nível MSL 1 —
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) — 195 A at Tc
Continuous Drain Current (ID max) — 230 A
Power Dissipation (PD) — 370 W at Tc
RDS(on) Max — 3 mOhm
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Drive Voltage (Max RDS(on)) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS — Compliant (PBF / lead-free)

Fichas técnicas e recursos

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