IRFS3006TRLPBF vs IRFS3107TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFS3006TRLPBF por Infineon y IRFS3107TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFS3006TRLPBF IRFS3107TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,40 $1,75
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vds) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 270 A —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC 160 nC
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 375 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Encapsulado D2PAK (TO-263AB), surface mount D2PAK (TO-263AB), 3-pin
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (Gull Wing)
RoHS Compliance Lead-Free (Pb-Free), RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 —
Avalanche Energy Rating Avalanche rated (per Infineon datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) — 195 A at Tc
Continuous Drain Current (ID max) — 230 A
Power Dissipation (PD) — 370 W at Tc
RDS(on) Max — 3 mOhm
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Drive Voltage (Max RDS(on)) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant (PBF / lead-free)

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