IRLML6346TRPBF vs BSS306NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon اور BSS306NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ فعال
Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML6346TRPBF BSS306NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) 2.3 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
MSL لیول 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں